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申请/专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要：本申请公开了单晶硅反射镜的制备方法及制备装置。该方法包括：提供待制备单晶硅反射镜；基于磁流变抛光技术对待制备单晶硅反射镜进行第一类型抛光；基于磁流变抛光技术对完成第一类型抛光的待制备单晶硅反射镜进行第二类型抛光，得到符合要求的单晶硅反射镜；其中，第一类型抛光对应的抛光液的粒度大于第二类型抛光对应的抛光液的粒度。通过上述方式，不仅能够满足单晶硅反射镜的精度要求，还在提高抛光效率的同时大幅降低生产成本。
主权项：1.一种单晶硅反射镜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供待制备单晶硅反射镜；基于磁流变抛光技术对所述待制备单晶硅反射镜进行第一类型抛光；基于所述磁流变抛光技术对完成第一类型抛光的所述待制备单晶硅反射镜进行第二类型抛光，得到符合要求的单晶硅反射镜；其中，所述第一类型抛光对应的抛光液的粒度大于所述第二类型抛光对应的抛光液的粒度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 单晶硅反射镜的制备方法及制备装置
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