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申请/专利权人：浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司
摘要：本发明公开一种超短沟道二维场效应晶体管，包括衬底、栅极、栅介质、二维沟道，二维沟道的表面分别与第一电极和第二电极相接触；第一电极采用金铝双层合金，第一电极与第二电极间采用第一电极自氧化层间隔。所述金铝双层合金采用不同原子比的上层合金和下层合金。第一电极的靠近二维沟道所在层合金自氧化的自氧化层厚度为亚5纳米。本发明通过采用金铝双层合金分层自氧化的方式实现了亚5纳米厚度的均匀自氧化层，并将亚5纳米厚度的自氧化层用作隔离材料，实现第一电极和第二电极的自对准隔离，进而实现由第一电极自氧化层厚度定义的亚5纳米沟道长度，实现了亚5纳米沟道长度二维场效应晶体管低成本、大规模的制备。
主权项：1.一种超短沟道二维场效应晶体管，其特征在于包括衬底、栅极、栅介质、二维沟道，所述二维沟道的表面分别与第一电极和第二电极相接触；所述第一电极采用金铝双层合金，所述第一电极与第二电极间采用第一电极自氧化层间隔；所述金铝双层合金采用不同原子比的上层合金和下层合金；所述第一电极的靠近二维沟道所在层合金自氧化的自氧化层厚度为亚5纳米。
全文数据：
权利要求：
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