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申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明涉及一种低电阻老化率PTC陶瓷材料及其制备方法。所述低电阻老化率PTC陶瓷材料包含：主相和第二相两部分；其中，主相的化学式为BaaPbbMcXdTieO3，其中M为Nb、Y、La中的至少一种，X为Mn、Cu、Fe中的至少一种，a＝0.6～0.9，b＝0.1～0.4，c＝0.003～0.006，d＝0.00005～0.0002，e＝1.0～1.02，且a+b＝1；其中，第二相包含CaTiO3、Al2O3、SiO2、RfCO3和BN，其中R为Mn、Cu、Fe中的至少一种，f＝1～2。
主权项：1.一种低电阻老化率PTC陶瓷材料，其特征在于，包含：主相和第二相两部分；所述主相的化学式为BaaPbbMcXdTieO3，其中M为Nb、Y、La中的至少一种，X为Mn、Cu、Fe中的至少一种，a=0.6～0.9，b=0.1～0.4，c=0.003～0.006，d=0.00005～0.0002，e=1.0～1.02，0＜dc≤130且a+b=1；所述第二相包含CaTiO3、Al2O3、SiO2、RfCO3和BN，其中R为Mn、Cu、Fe中的至少一种，f=1～2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低电阻老化率PTC陶瓷材料及其制备方法
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