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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明提供了一种PT对称Octonacci序列准周期光子多层结构，属于光放大器和激光器技术领域。PT对称Octonacci序列准周期光子多层结构的各层排列规则为：当N＝1时，S1＝A；当N＝2时，S2＝B；当N≥3时，SN＝SN‑1SN‑2SN‑1，其中下标N为序列的序数，A为第一电介质层，B为第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片。本发明具有实现更大强度的光放大的激光点等优点。
主权项：1.一种PT对称Octonacci序列准周期光子多层结构，其特征在于，所述PT对称Octonacci序列准周期光子多层结构的各层排列规则为：当N=1时，S1为第一电介质层（A）；当N=2时，S2为第二电介质层（B）；当N≥3时，SN=SN-1SN-2SN-1，其中N为序列的序数；位于Octonacci序列准周期光子多层结构对称中心靠近入射方向一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层（A），通光状态下的折射率表示为na；位于Octonacci序列光子多层结构对称中心靠近出射方向一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层（A'），通光状态下的折射率表示为na'；位于Octonacci序列准周期光子多层结构对称中心靠近入射方向一侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层（B），通光状态下的折射率表示为nb；位于Octonacci序列准周期光子多层结构对称中心靠近出射方向一侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层（B'），通光状态下的折射率表示为nb'；na=nA+qi，na'=nA−qi，nb=nB+qi，nb'=nB−qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nA为第一电介质层折射率的实部，nB为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电解质层的厚度均为各自的14光学波长；整个Octonacci序列非周期光子多层结构的材料折射率关于中心原点满足对称性nz=n*−z，其中*表示求复共轭，即折射率实部关于结构中心点呈偶对称，折射率虚部关于结构中心点呈奇对称；所述第一电介质层为二氧化硅。
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权利要求：
百度查询： 湖北科技学院 一种PT对称Octonacci序列准周期光子多层结构
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