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一种混合型CMOS-忆阻输出保持电路 

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申请/专利权人:重庆理工大学

摘要:本发明涉及忆阻器技术领域,具体为一种混合型CMOS‑忆阻输出保持电路,包括:运算模块、输出保持模块,以及用于电路的输入电压和维持输出的直流电压VS;所述运算模块包括第四忆阻器M4和第五忆阻器M5;所述输出保持模块包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第三忆阻器M3、第一MOS管T1、第二MOS管T2、第一电阻R1以及第一反相器N1和第二反相器N2;其中,第一MOS管T1是PMOS晶体管,第二MOS管T2是NMOS管,M、M2、M3、M4、M5均为基于Biolek阈值模型的忆阻器。本发明更好的利用好忆阻器特性,通过忆阻器来存储上一时刻的运算结果,并在输入意外消失时使得输出保持在与输入消失的上一时刻相同。

主权项:1.一种混合型CMOS-忆阻输出保持电路,其特征在于,包括:运算模块、输出保持模块,以及用于电路的输入电压和维持输出的直流电压VS;所述运算模块包括第四忆阻器M4和第五忆阻器M5;所述输出保持模块包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第三忆阻器M3、第一MOS管T1、第二MOS管T2、第一电阻R1以及第一反相器N1和第二反相器N2;其中,第一MOS管T1是PMOS晶体管,第二MOS管T2是NMOS管,M、M2、M3、M4、M5均为基于Biolek阈值模型的忆阻器。

全文数据:

权利要求:

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