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申请/专利权人：太原理工大学
摘要：本发明涉及芯片技术领域，具体涉及一种优化高温环境下性能的VCSEL芯片制造方法，主要解决采用外部控制方式保证VCSEL性能存在的应用场景大幅减少的技术问题。所述优化高温环境下性能的VCSEL芯片制造方法包括：S1.衬底准备；S2.生长半导体材料层；S3.定义有源区；S4.制作DBR反射镜；S5.将AlGaAs合金材料选择性氧化成AlXOY；S6.在VCSEL表面加工SIN层、种子层和金属层；S7.成型P型电极和N型电极，并使触点在氮中快速退火后的环境中触发。本发明提供的优化高温环境下性能的VCSEL制造方法，制作出的VCSEL芯片能够在高温环境下保持良好的光电特性，从而满足对高温应用的需求。
主权项：1.一种优化高温环境下性能的VCSEL芯片制造方法，其特征在于，依次包括如下步骤：S1.衬底（1）准备；S2.在所述衬底（1）上生长半导体材料层，所述半导体材料层包括从下至上依次层叠的N-DBR层（2）、有源区（3）和P-DBR层（4）；S3.采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀法刻蚀所述P-DBR层（4）形成一台面，从而定义所述有源区（3）；S4.通过刻蚀和沉积过程制作DBR反射镜；S5.在420℃的温度下，将AlGaAs合金材料选择性氧化成AlXOY，形成氧化孔；S6.在VCSEL表面沉积200nm厚的SIN层，然后溅射种子层，最后电镀金属层；S7.在所述P-DBR层（4）顶面输出孔外围区域沉积P型电极（5）；将衬底（1）减薄至150µm，在所述衬底（1）的底面使用蒸发技术制备N型电极（6），并使触点在氮中快速退火后的环境中触发。
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