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申请/专利权人：杭州致善微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种推挽结构的CMOS器件，包括：P型衬底和设置在P型衬底上的设置在衬底上的第一源极和第一漏极；N型衬底和设置在N型衬底上的设置在衬底上的第二源极和第二漏极；以及，栅极，包含设置在P型衬底的第一栅极和N型衬底上的第二栅极；所述第一栅极控制第一源极与第一漏极的通断，所述第二栅极控制第二源极与第二漏极的通断；本申请的栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决CMOS器件的自热效应带来的性能衰退的问题。
主权项：1.一种推挽结构的CMOS器件，其特征在于，包括：P型衬底和设置在P型衬底上的第一源极和第一漏极；N型衬底和设置在N型衬底上的第二源极和第二漏极；以及，栅极，包含设置在P型衬底的第一栅极和N型衬底上的第二栅极；所述第一栅极控制第一源极与第一漏极的通断，所述第二栅极控制第二源极与第二漏极的通断；第一漏极与第二漏极通过金属实现电气连接，作为输出端子；第一源极通过引出金属引出，作为电源端，所述第二源极通过金属引出，作为接地端；所述栅极作为输入端子；第一源极、栅极、第一漏极、第二源极和第二漏极均具有用于与P型衬底或N型衬底连接的金半接触孔；位于单条栅单元栅极下方的沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州致善微电子科技有限公司 一种推挽结构的CMOS器件
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