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申请/专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
摘要：本申请涉及一种键合结构及其形成方法，键合结构，包括：第一衬底，具有第一介质层；第一键合垫，嵌于第一介质层内，并暴露于第一介质层；第二衬底，具有第二介质层；第二键合垫，嵌于第二介质层内，并暴露于第二介质层；第一介质层与第二介质层之间键合，第一键合垫与第二键合垫之间键合；第一阻挡层和第二阻挡层，分别位于第一键合垫、第二键合垫的侧壁；其中，第一键合垫的水平方向尺寸小于第二键合垫的水平方向尺寸，第二键合垫与第一介质层相邻位置，设置第一层间阻挡层，第一层间阻挡层与第一阻挡层或第二阻挡层相连，沿着第二键合垫的边缘指向中心，第一层间阻挡层厚度不均一。上述键合结构，有助于减少结构缺陷，进而提高产品良率。
主权项：1.一种键合结构，其特征在于，包括：第一衬底，具有第一介质层；第一键合垫，嵌于所述第一介质层内，并暴露于所述第一介质层；第二衬底，具有第二介质层；第二键合垫，嵌于所述第二介质层内，并暴露于所述第二介质层；所述第一介质层与所述第二介质层之间键合，所述第一键合垫与所述第二键合垫之间键合；第一阻挡层和第二阻挡层，分别位于所述第一键合垫、所述第二键合垫的侧壁；其中，所述第一键合垫的水平方向尺寸小于所述第二键合垫的水平方向尺寸，所述第二键合垫与所述第一介质层相邻位置，设置第一层间阻挡层，所述第一层间阻挡层与所述第一阻挡层或所述第二阻挡层相连，沿着所述第二键合垫的边缘指向中心，所述第一层间阻挡层厚度不均一。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 键合结构及其形成方法
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