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申请/专利权人：安徽昱升光电科技有限公司
摘要：本发明公开了一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，涉及红外探测器技术领域，具体包括以下步骤：S1：贴片；S2：研磨；S3：抛光；S4：清洗干燥。本发明芯片背减薄工艺不仅可以将InSb光敏元芯片平整度控制在1μm以内，还可以保护硅读出电路边缘PAD不被研磨溶液与抛光溶液腐蚀，经本发明背减薄工艺处理后的InSb光敏元芯片表面无划痕、损伤，且本发明可以对多片红外焦平面探测器芯片同时进行背减薄，生产效率更高。
主权项：1.一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：S1：贴片：先在石英衬底片上涂抹适量石蜡，将硅陪片1贴在石英衬底片上，红外焦平面探测器芯片包括硅读出电路3和InSb光敏元芯片4，将硅读出电路3贴在硅陪片1上开设的第一通孔2内，在硅读出电路3边缘涂抹适量石蜡，将InSb陪片5贴在硅读出电路3上，覆盖硅陪片1，InSb光敏元芯片4穿过InSb陪片5上的第二通孔6；S2：研磨：配制研磨溶液，对红外焦平面探测器芯片进行研磨处理，研磨溶液为三氧化二铝溶液和过氧化氢溶液的混合溶液，其中，三氧化二铝溶液与过氧化氢溶液的体积比为19～21:0.95～1.05，研磨处理夹具的转速为8～10rpm，工作盘的转速为35～40rpm，研磨处理后InSb光敏元芯片4剩余厚度为15～16μm；S3：抛光：配制抛光溶液，对红外焦平面探测器芯片进行抛光处理，化学抛光溶液为50nm二氧化硅溶液、过氧化氢溶液和乙酸溶液的混合溶液，其中，50nm二氧化硅溶液、过氧化氢溶液和乙酸溶液的体积比为95～100:9～10:1～1.05，抛光处理夹具的转速为40～45rpm，工作盘的转速为40～45rpm，抛光处理后InSb光敏元芯片4剩余厚度为9～11μm；S4：清洗干燥：抛光完成后，使用纯水冲洗红外焦平面探测器芯片表面，洗涤完成后使用氮气吹干。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽昱升光电科技有限公司 一种红外焦平面芯片的背减薄工艺
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