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申请/专利权人:南亚科技股份有限公司
摘要:本申请提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括:在一基底上形成一第一支撑层;在该第一支撑层上形成一第一材料层,其中该第一材料层被掺入一N型掺杂剂;在该第一材料层上形成一第二材料层;在该第二材料层上形成一第二支撑层;在该第二支撑层上形成一第三材料层,其中该第三材料层掺有一P型掺杂剂;执行一干蚀刻操作以形成一第一凹槽,其中该第一凹槽穿透该第一材料层、该第二材料层及该第三材料层;以及在该第一凹槽中形成一底部电极。
主权项:1.一种存储器元件的制备方法,包括:在一基底上形成一第一支撑层;在该第一支撑层上形成一第一材料层,其中该第一材料层被掺入一N型掺杂剂;在该第一材料层上形成一第二材料层;在该第二材料层上形成一第二支撑层;在该第二支撑层上形成一第三材料层,其中该第三材料层掺有一P型掺杂剂;执行一干蚀刻操作以形成一第一凹槽,其中该第一凹槽穿透该第一材料层、该第二材料层及该第三材料层;以及在该第一凹槽中形成一底部电极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 南亚科技股份有限公司 具有容器形状电极的存储器元件的制备方法
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