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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要：本发明涉及一种单片集成平顶微透镜的背照高功率光电探测器芯片及其制作方法，属于半导体光电探测器领域。单片集成平顶微透镜的背照高功率光电探测器芯片，包括平顶微透镜、衬底和光电二极管芯片；所述光电二极管芯片设置在衬底正面；所述光电二极管芯片设置有芯片有源区；所述衬底的背面设置有平顶微透镜；所述平顶微透镜与芯片有源区位置对准；所述平顶微透镜的表面沉积有增透膜。本发明使用平顶微透镜将高斯光束匀化，从而提高芯片的饱和光功率，对高功率光电探测器的设计和制作有积极意义。
主权项：1.单片集成平顶微透镜的背照高功率光电探测器芯片，其特征在于：包括平顶微透镜、衬底和光电二极管芯片；所述光电二极管芯片设置在衬底正面；所述光电二极管芯片设置有芯片有源区；所述衬底的背面设置有平顶微透镜；所述平顶微透镜与芯片有源区位置对准；所述平顶微透镜的表面沉积有增透膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 单片集成平顶微透镜的背照高功率光电探测器芯片及其制作方法
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