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申请/专利权人：苏州芯晟半导体科技有限公司
摘要：本发明公开一种激光器有源区及高功率长波量子级联激光器。激光器有源区包括发光层和注入层，发光层和注入层分别具有量子势阱层及量子势垒层交替层叠的量子阱结构；发光层的发射波长为8μm‑12μm，且满足斜跃迁的发射；发光层包括依次设置的第一量子势垒层、第一量子势阱层、第二量子势垒层、第二量子势阱层、第三量子势垒层和第三量子势阱层；在发光层所有量子势垒层中，第一量子势垒层最厚；第一量子势阱层包含两种Ga组分材料，每种Ga组分材料中Ga组分比例为38％‑47％；第二量子势垒层包含两种Al组分材料，每种Al组分材料的Al组分比例为55％‑68％。本公开能够提升频带偏移，抑制来自上激光态的载流子泄漏，改善长波红外量子级联激光器的WPE。
主权项：1.一种激光器有源区，其特征在于，包括发光层和注入层，所述发光层和注入层分别具有量子势阱层及量子势垒层交替层叠的量子阱结构；所述发光层的发射波长为8μm-12μm，且满足斜跃迁的发射；所述发光层包括依次设置的第一量子势垒层、第一量子势阱层、第二量子势垒层、第二量子势阱层、第三量子势垒层和第三量子势阱层；在发光层所有量子势垒层中，所述第一量子势垒层最厚；所述第一量子势阱层包含两种Ga组分材料，每种Ga组分材料中Ga组分比例为38％-47％；所述第二量子势垒层包含两种Al组分材料，每种Al组分材料的Al组分比例为55％-68％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州芯晟半导体科技有限公司 激光器有源区及高功率长波量子级联激光器
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