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申请/专利权人：江淮前沿技术协同创新中心;安徽大学

摘要：一种17T抗辐照SRAM存储单元电路与工作方法，涉及集成电路设计技术领域，解决现有抗辐照SRAM存储电路存在功耗较大、稳定性较差的问题；包括6个PMOS晶体管、11个NMOS晶体管，设有节点P、节点Q、节点PB、节点QB，本发明所述的存储单元采用堆叠结构，降低了电路的泄漏电流，大幅度降低了电路功耗，存储结构采用完全对称的两个稳定结构相互锁存，增加了电路的稳定性；本发明采用极性设计的加固方式，使得单元只存在三个敏感节点，从而减少了节点的翻转概率，提高单元整体的稳定性，并且在面对任意单节点的翻转，可以有效的阻碍错误的传播，最后恢复错误节点，使得本发明具有单节点自恢复的能力。

主权项：1.一种17T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：6个PMOS晶体管、11个NMOS晶体管，所述6个PMOS晶体管依次记为P1-P6，所述11个NMOS晶体管依次记为N1-N11，其中：NMOS晶体管N1的源极与NMOS晶体管的N2的漏极、NMOS晶体管N10的漏极、NMOS晶体管N6的栅极、NMOS晶体管N8的栅极、PMOS晶体管P4的栅极、PMOS晶体管P5的栅极连接；NMOS晶体管N1的栅极与NMOS晶体管N3的漏极、NMOS晶体管N9的漏极、NMOS晶体管N7的栅极、PMOS晶体管P3的漏极、PMOS晶体管P6的栅极连接；NMOS晶体管N1的漏极与PMOS晶体管P1的漏极连接；NMOS晶体管N2的源极与NMOS晶体管N4的源极、NMOS晶体管N6的源极、NMOS晶体管N8的源极连接接GND；NMOS晶体管N2的栅极与NMOS晶体管N4的栅极、NMOS晶体管N5的源极、NMOS晶体管N6的漏极、PMOS晶体管P1的栅极、PMOS晶体管P2的栅极连接；NMOS晶体管N3的源极与NMOS晶体管N4的漏极连接；NMOS晶体管N3的栅极与NMOS晶体管N5的栅极、NMOS晶体管N7的漏极、NMOS晶体管N11的漏极、PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P6的漏极连接；NMOS晶体管N5的漏极与PMOS晶体管P4的漏极连接；NMOS晶体管N7的源极与NMOS晶体管N8的漏极连接；NMOS晶体管N9的源极与NMOS晶体管N10的源极、第一位线BL连接；NMOS晶体管N9的栅极与NMOS晶体管N11的栅极、第一字线WL连接；NMOS晶体管N10的栅极与第二字线WWL连接；NMOS晶体管N11的源极与第二位线BLB连接；PMOS晶体管P1的源极与PMOS晶体管P2的源极、PMOS晶体管P4的源极、PMOS晶体管P5的源极连接接电源VDD；PMOS晶体管P2的漏极与PMOS晶体管P3的源极连接；；PMOS晶体管P5的漏极与PMOS晶体管P6的源极连接。

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