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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及栅极结构中具有两个相邻金属层的结构。一种结构包括：半导体鳍；位于半导体鳍中的第一源极漏极区和第二源极漏极区；围绕第一源极漏极区的第一掺杂区，其在半导体鳍中限定沟道区；以及围绕第二源极漏极区的第二掺杂区，其在半导体鳍中限定漏极扩展区。栅极结构位于沟道区和漏极扩展区上方。该栅极结构包括栅极电介质层、位于栅极电介质层上方且与第二金属层相邻的第一金属层，以及位于第一金属层和第二金属层上方的连续栅极导体。金属层中的一者位于沟道区上方，金属层中的另一者位于漏极扩展区上方。金属层可以具有不同的厚度和或功函数，以提高包括该结构的LDMOSFinFET的跨导和RF性能。
主权项：1.一种半导体结构，包括：半导体鳍；位于所述半导体鳍中的第一源极漏极区和第二源极漏极区；围绕所述第一源极漏极区的第一掺杂区，其在所述半导体鳍中限定沟道区；围绕所述第二源极漏极区的第二掺杂区，其在所述半导体鳍中限定漏极扩展区；位于所述沟道区和所述漏极扩展区上方的栅极结构，所述栅极结构包括：栅极电介质层，位于所述栅极电介质层上方的第一金属层，所述第一金属层与第二金属层相邻，其中所述第一金属层和所述第二金属层具有不同的厚度，以及位于所述第一金属层和所述第二金属层上方的连续栅极导体；以及位于所述半导体鳍中的所述第一源极漏极区和所述第二源极漏极区之间的沟槽隔离区，其中，所述沟槽隔离区的侧壁与所述第二金属层的侧壁基本对齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 栅极结构中具有两个相邻金属层的结构
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