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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种高光效LED芯片及制备方法，该芯片包括衬底和外延层，还包括设于P型半导体层上的电流阻挡层、设于电流阻挡层上的透明导电层、设于透明导电层上的第一金属阻挡层及设于所述N型半导体层上的第二金属阻挡层、设于透明导电层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的高反射金属层以及设于高反射金属层上的第二绝缘层，高反射金属层与金属阻挡层保持绝缘；其中，第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，P型导电电极通过预设的第一导电通孔与第一金属阻挡层接触进而与P型半导体层连接，N型导电电极通过预设的第二导电通孔与第二金属阻挡层接触进而与N型半导体层连接。本发明旨在改善制作工艺，保证LED芯片的生产良率。
主权项：1.一种高光效LED芯片，所述芯片包括衬底和外延层，所述外延层包括N型半导体层、多量子阱区与P型半导体层，其特征在于：所述芯片还包括设于所述P型半导体层上的电流阻挡层、设于所述电流阻挡层上的透明导电层、设于所述透明导电层上的第一金属阻挡层以及设于所述N型半导体层上的第二金属阻挡层、设于所述透明导电层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的高反射金属层以及设于所述高反射金属层上的第二绝缘层，所述高反射金属层与所述金属阻挡层保持绝缘；其中，所述第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，所述P型导电电极通过预设的第一导电通孔与所述第一金属阻挡层接触进而与所述P型半导体层连接，所述N型导电电极通过预设的第二导电通孔与所述第二金属阻挡层接触进而与所述N型半导体层连接，且所述P型导电电极、N型导电电极与所述高反射金属层之间保持绝缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种高光效LED芯片及制备方法
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