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申请/专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要：本发明提供了提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，在DCB覆铜陶瓷基板的制备过程中，增加菲林设计间距并提高腐蚀线速。采用上述技术方案后，通过改善DCB覆铜陶瓷基板的制备工艺，例如通过增加DCB菲林设计间距并提高腐蚀线速，从而减少DCB产品蚀刻工序的蚀刻因子，最终实现提高半导体制冷器、LED、功率半导体等DCB产品的冷热冲击可靠性能，提高客户对于产品日益严格的使用要求及使用环境。
主权项：1.一种提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，其特征在于，在DCB覆铜陶瓷基板的制备过程中，在曝光工序中增加菲林设计间距至0.43mm，并在蚀刻工序中提高腐蚀线速到0.8250mmin，所述DCB覆铜陶瓷基板的图形面铜厚为0.3±0.02mm，顶部间距为0.7mm，底部间距应满足0.5±0.1mm，蚀刻因子为2～3。
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权利要求：
百度查询： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 一种提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法
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