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一种多腔室串联结构的PECVD设备及其清洁控制方法 

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申请/专利权人:金阳(泉州)新能源科技有限公司

摘要:本发明属于设备清洁技术领域,具体涉及一种多腔室串联结构的PECVD设备及其清洁控制方法,减反层循环模块中循环使用的载板根据沉积速率与刻蚀速率的比例确定,通过该比例合理设置放置有基材的载板与空载板的间隔数量,使得放置有基材的载板进入到减反层腔室时正常沉积减反层,空载板进入到对应的减反层腔室时通入刻蚀气体刻蚀载板及腔室壁上沉积的减反膜层,避免了减反层循环模块需要高频率、长时间停止沉积才能对载板和腔室进行刻蚀清洁的问题,从而实现减反层腔室与其他膜层腔室之间的匹配,进而提高整个设备的产能。

主权项:1.一种多腔室串联结构PECVD设备的清洁控制方法,其特征在于,所述多腔室串联结构PECVD设备包括依次设置的非晶层工艺腔室、半导体层工艺腔室以及减反层循环模块;所述减反层循环模块包括依次设置的上料台、进片预热腔、多个减反层腔室、出片冷却腔、下料台以及回传系统;所述减反层循环模块内布置有多块载板;所述清洁控制方法包括:根据所述减反层腔室的刻蚀速率与沉积速率的比值A预先确定所述载板总数M和循环载板数量N;其中,2≤A≤8,A的整数部分为A0,载板总数M中每A0块载板放置基材进行减反层的沉积,则第A0+1块载板为不放置基材的空载板;循环载板数量N为A0+1,且M不为N的整数倍;当确定空载板进入到其中的1个所述减反层腔室,则对该所述减反层腔室内的空载板和腔室内壁上累积的减反层膜厚进行刻蚀清洁,同时其余的N-1个所述减反层腔室进行减反层的沉积。

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权利要求:

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