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申请/专利权人：固存芯控半导体科技(苏州)有限公司
摘要：本发明涉及NAND闪存技术领域，具体是一种提高NAND闪存写入效率并充分利用存储空间的管理方法。一种基于虚拟平面的NAND闪存管理方法，包括如下方法：1虚拟多平面块合成：将多个单平面块合成一个虚拟的多平面块，形成一个可以被FTL以多平面块方式管理的单元，这种组合的映射信息存储在SRAM表格中，以便底层硬件可以访问和解析。2FTL算法的适配。3底层硬件操作：当FTL请求写入或读取特定的虚拟多平面块中的数据时，底层硬件将负责查询SRAM表格，以确定相应的单平面块,然后硬件将按照单平面的读写操作来逐一对这些块进行处理。通过以上技术方案，本发明提高了NAND闪存的好块利用率，而且通过智能化的虚拟化策略，简化了存储管理流程，增强了整个系统的性能和可靠性。
主权项：1.一种基于虚拟平面的NAND闪存管理方法，包括如下方法：1虚拟多平面块合成：将多个单平面块合成一个虚拟的多平面块，形成一个可以被FTL以多平面块方式管理的单元，这种组合的映射信息存储在SRAM表格中，以便底层硬件访问和解析；2FTL算法的适配：上层的FTL算法无需大幅改动，按照原有的多平面操作方式处理虚拟多平面块；3底层硬件操作：当FTL请求写入或读取特定的虚拟多平面块中的数据时，底层硬件将负责查询SRAM表格，以确定相应的单平面块,然后，硬件将按照单平面的读写操作来逐一对这些块进行处理。
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百度查询： 固存芯控半导体科技(苏州)有限公司 一种基于虚拟平面的NAND闪存管理方法
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