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申请/专利权人：浙江睿熙科技有限公司
摘要：公开了一种VCSEL发光点和VCSEL阵列以及光学设备和VCSEL器件的制造方法。所述发光点主体包括：衬底层、底部镜部分、有源区、主限制层、顶部镜部分和电极接触层。底部镜部分，所述底部镜部分形成于所述衬底层上，所述底部镜部分包括底部隧道结、底部P‑DBR层、底部限制层。所述顶部镜部分包括至少一顶部P‑DBR层和顶部隧道结，所述顶部隧道结叠置于所述顶部P‑DBR层。所述有源区和所述主限制层位于所述底部镜部分与所述顶部镜部分之间。所述电极接触层形成于所述顶部镜部分上。所述VCSEL阳极包括第一N型金属层，所述第一N型金属层形成于所述N型衬底层。所述VCSEL阴极包括电极金属层，所述电极金属层形成于所述电极接触层上。
主权项：1.一种VCSEL发光点，其特征在于，包括：发光点主体，所述发光点主体包括：衬底层；底部镜部分，所述底部镜部分形成于所述衬底层上，所述底部镜部分包括底部隧道结、底部P-DBR层、底部限制层；其中，所述底部隧道结形成于所述衬底层顶表面上，所述底部P-DBR层和所述底部限制层叠置于所述底部隧道结；顶部镜部分，所述顶部镜部分包括至少一顶部P-DBR层和顶部隧道结，所述顶部隧道结叠置于所述顶部P-DBR层；有源区，所述有源区位于所述底部镜部分和所述顶部镜部分之间；主限制层，所述主限制层位于所述底部镜部分和所述顶部镜部分之间；以及电极接触层，所述电极接触层形成于所述顶部镜部分上；VCSEL阳极，所述VCSEL阳极包括第一N型金属层，所述第一N型金属层形成于所述衬底层；VCSEL阴极，所述VCSEL阴极包括电极金属层，所述电极金属层形成于所述电极接触层上。
全文数据：
权利要求：
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