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申请/专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种VCSEL芯片及其制备方法，通过在第二对称波导层与P型限制层之间设置第一对称波导层，能有效减缓因第二对称波导层与P型限制层的Al组分不同而造成的势垒差异；其次，所述第一对称波导层的势垒呈函数渐变，使第一对称波导层的头、尾两端点的势垒分别与第二对称波导层、P型限制层的势垒无限接近，从而更大程度上降低第二对称波导层与P型限制层的势垒结，进而获得更好的串联阻值；再次，通过所述第一对称波导层的过渡，使所述第二对称波导层与P型限制层之间形成低电阻，从而在一定程度上降低了VCSEL芯片的热损耗，进一步达到了提高VCSEL芯片的微分增益的效果。
主权项：1.一种VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底表面依次生长N型DBR层、N型限制层、第一波导层、第二波导层、量子阱、第二对称波导层、第一对称波导层、P型限制层；所述第一波导层与所述第一对称波导层分别通过对势垒进行函数渐变的调制工艺而获得；且所述第一波导层的势垒大于所述第二波导层的势垒，所述第二波导层的势垒大于所述第二对称波导层的势垒，所述第二对称波导层的势垒小于所述第一对称波导层的势垒，所述P型限制层的势垒大于所述第一对称波导层势垒的最小值，所述P型限制层的势垒大于所述第一波导层的势垒的最小值；在所述P型限制层的表面依次生长P型氧化界面截止层、P型DBR层和P型包层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门乾照半导体科技有限公司 一种VCSEL芯片及其制备方法
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