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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体器件位线形成方法与半导体器件，属于半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括有源区、浅沟槽隔离结构、埋入式字线以及埋入式字线上方的凹槽；沉积隔离层，隔离层填充凹槽并覆盖半导体衬底的上表面；利用具有有源区图形的第一掩膜层选择性刻蚀隔离层，使凹槽内剩余的隔离层厚度小于凹槽的深度；沉积位线接触层，位线接触层填充隔离层的上表面沟槽；沉积位线导电层；利用具有位线图形的第二掩膜层选择性刻蚀位线导电层与位线接触层，第二掩膜层沿任一有源区的截面宽度大于有源区内两埋入式字线沿有源区的截面间距。本公开可以增加位线接触的面积，降低接触电阻，提高存储单元的数据读写性能。
主权项：1.一种半导体器件位线形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区、浅沟槽隔离结构、埋入式字线以及所述埋入式字线上方的凹槽；沉积隔离层，所述隔离层填充所述凹槽并覆盖所述半导体衬底的上表面；利用具有所述有源区图形的第一掩膜层选择性刻蚀所述隔离层，使所述凹槽内剩余的隔离层厚度小于所述凹槽的深度；沉积位线接触层，所述位线接触层填充所述隔离层的上表面沟槽；沉积位线导电层；利用具有位线图形的第二掩膜层选择性刻蚀所述位线导电层与位线接触层，所述第二掩膜层沿任一所述有源区的截面宽度大于所述有源区内两埋入式字线沿所述有源区的截面间距；在所述半导体衬底上表面、所述隔离层上表面、所述位线导电层的侧壁与所述位线接触层的侧壁形成阻挡层；在所述阻挡层上沉积介电层，所述介电层填充所述隔离层的上表面空隙并覆盖所述半导体衬底的上表面；在所述介电层内形成存储节点接触塞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件位线形成方法、半导体器件
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