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申请/专利权人：日日新半导体架构股份有限公司
摘要：本发明提供具有地下互联机的半导体电路结构，地下互联机在半导体基板内且用于信号与电力传输。其中，半导体电路结构包含具有原始半导体表面的半导体基板、基于半导体基板而形成的第一组PMOS晶体管、相邻于第一组PMOS晶体管且沿着第一方向延伸的第一浅沟槽隔离STI区、在第一STI区内且位于原始半导体表面下方的第一地下互联机、以及通过第一连接穿孔电性连接第一地下互联机的第一电源电压。每一PMOS晶体管包含栅极结构、第一导电区与第二导电区。第一地下互联机沿着第一方向延伸。每一PMOS晶体管的第一导电区电性连接第一地下互联机。
主权项：1.一种半导体电路结构，包含：一半导体基板，具有一原始半导体表面；一第一组PMOS晶体管，基于该半导体基板而形成，每一PMOS晶体管包含一栅极结构、一第一导电区与一第二导电区；一第一浅沟槽隔离STI区，相邻于该第一组PMOS晶体管且沿着一第一方向延伸；一第一地下互联机，在该第一STI区内且位于该原始半导体表面下方，其中该第一地下互联机沿着该第一方向延伸，每一PMOS晶体管的该第一导电区电性连接该第一地下互联机；以及一第一电源电压，通过一第一连接穿孔电性连接该第一地下互联机。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日日新半导体架构股份有限公司 具有用于电力传输、电力供应网与信号传输的地下互连的半导体电路结构
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