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申请/专利权人：元平台公司
摘要：根据示例，用于集成电路IC的互连系统可以通过以下来制造：用光刻胶层处理嵌入有铜阱的基板，使得光刻胶层的剩余部分暴露铜阱的部分；在晶圆的顶表面上方沉积阻障层，在阻障层上方沉积种子铜层；在种子铜层上方沉积铜层；使铜层和部分阻障层平坦化；在基板、铜阱和互连芯部的暴露部分上方沉积另一铜层；通过用另一光刻胶层处理第二铜层来移除另一铜层在互连之间的部分；以及移除另一光刻胶层在互连上的剩余部分。
主权项：1.一种制造用于集成电路IC的互连系统的方法，所述方法包括：用第一光刻胶层制造嵌入有铜阱的基板，使得所述第一光刻胶层的剩余部分暴露所述铜阱的部分；在所述铜阱的暴露部分和所述第一光刻胶层的所述剩余部分上方沉积阻障层；在所述阻障层上方沉积种子铜层；在所述种子铜层上方沉积第一铜层；使所述第一铜层和部分所述阻障层平坦化，使得在所述铜阱上方暴露互连芯部；在所述基板、所述铜阱和所述互连芯部的暴露部分上方沉积第二铜层；通过用第二光刻胶层处理所述第二铜层来移除所述第二铜层在所述互连之间的部分；以及移除所述第二光刻胶层在所述互连上的剩余部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 元平台公司 用于集成电路(IC)纳米范围互连制造的系统和方法
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