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申请/专利权人：重庆文理学院
摘要：本发明涉及一种核用锆合金表面致密CrAl涂层的快速制备方法，包括以下步骤：S1、制备Zr‑4合金基体；S2、对Zr‑4合金基体表面进行溅射清洗，去除表面氧化层和污染物；S3、在Zr‑4合金基体表面采用直流磁控溅射技术DCMS与高功率脉冲磁控溅射HiPIMS复合技术沉积CrAl涂层。本技术方案，靶材离子自溅射主导溅射过程，可以使实现靶材溅射原子高度离化，并且与传统的DCMS相比，HiPIMS技术溅射出来的离子具有很高的离子能量，在薄膜的沉积过程中离子的轰击作用更大，有利于提高薄膜的质量，其晶粒尺寸更加致密，膜基结合力强，涂层质量更高。
主权项：1.一种核用锆合金表面致密CrAl涂层的快速制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、制备Zr-4合金基体；S2、对Zr-4合金基体表面进行溅射清洗，去除表面氧化层和污染物；S3、在Zr-4合金基体表面采用直流磁控溅射技术与高功率脉冲磁控溅射复合技术沉积CrAl涂层。
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权利要求：
百度查询： 重庆文理学院 核用锆合金表面致密CrAl涂层的快速制备方法
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