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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；通过在氢终端金刚石上开设梯形通孔，并在氢终端金刚石正面沉积肖特基接触层和欧姆接触层，在氢终端金刚石背面生长多晶金刚石，制备得到高压大电流金刚石横向肖特基二极管。本发明中的梯形通孔结构增加了横向肖特基二极管的耐压性能，使得横向肖特基二极管具有良好的电学特性。同时本发明在较薄的氢终端金刚石上制备肖特基接触层和欧姆接触层，降低了氢终端金刚石的使用成本，之后在背面生长多晶金刚石作为衬底，可以起到支撑作用，多晶金刚石的加入，可以在进一步提高器件性能的同时降低制造器件的成本。
主权项：1.一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管，其特征在于，包括氢终端金刚石（2）；所述氢终端金刚石（2）上开设有至少两个梯形通孔（5），所述梯形通孔（5）的上底所在面为氢终端金刚石（2）正面，梯形通孔（5）的下底所在面为氢终端金刚石（2）背面；所述氢终端金刚石（2）背面生长有多晶金刚石（1）；所述氢终端金刚石（2）正面沉积有肖特基接触层（4）和欧姆接触层（3）；所述肖特基接触层（4）位于两个梯形通孔（5）之间的氢终端金刚石（2）正面区域，欧姆接触层（3）位于两个梯形通孔（5）外侧的氢终端金刚石（2）正面区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法
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