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申请/专利权人：乐山希尔电子股份有限公司;江苏希尔半导体有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司
摘要：本发明公开了一种垂直型宽禁带肖特基功率二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，本发明通过使阴极直接和重掺杂传输层相连来提升欧姆接触的效果，通过使沟槽内的肖特基金属材料和轻掺杂漂移层相连来增大电极接触面，通过在沟槽内设置电场屏蔽层来提升整个二极管反偏时的屏蔽能力，三者相结合，就能使二极管的正向通过电流增大、电流密度增加、比导通电阻降低和反向漏电流减小，从而解决了现有肖特基二极管存在的通过的电流密度较低、通过的正向电流小、反向漏电流大、阴极的欧姆接触效果差及比导通电阻大的技术问题。
主权项：1.一种垂直型宽禁带肖特基功率二极管，其特征在于：包括从下至上依次设置的阴极电极（1-10）、衬底层（1-1）、缓冲层（1-2）、重掺杂传输层（1-3）和轻掺杂漂移层（1-4），所述轻掺杂漂移层（1-4）的上表面两端分别设有对称的保护层，所述轻掺杂漂移层（1-4）的上表面中部均匀开设有多个沟槽（1-11），所有沟槽（1-11）的宽度及深度均相同，相邻沟槽（1-11）之间的间距相同，各沟槽（1-11）的底部设有电场屏蔽层（1-8）；所述保护层之间设有阳极电极（1-9），阳极电极（1-9）覆盖在轻掺杂漂移层（1-4）上并与轻掺杂漂移层（1-4）形成肖特基接触，阳极电极（1-9）的下部设有向下完全填充沟槽（1-11）并与电场屏蔽层（1-8）形成肖特基接触的阳极头（1-12），阳极电极（1-9）的上部分别向两侧延伸并形成部分覆盖保护层的场板结构；所述阴极电极（1-10）的上表面设有向上穿过衬底层（1-1）和缓冲层（1-2）后与重掺杂传输层（1-3）的下表面形成欧姆接触阴极头（1-13）。
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