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申请/专利权人：中北大学
摘要：本发明属于纳米孔技术领域，具体涉及一种基于寻址电极独立制备多个纳米孔的方法，包括下列步骤：在硅晶片表面上化学气相沉积二氧化硅层；在二氧化硅层上沉积的氮化硅膜；在氮化硅膜上沉积寻址电极；在硅晶片背面蚀刻氮化硅窗口；将氮化硅芯片连接到PCB电路板上；将氮化硅芯片与PCB电路板安装在溶液池中间；设置阈值电流，当观测到纳米孔的漏电流达到阈值电流之后，将源表的施加电压降为0V；计算所制备纳米孔的孔径。本发明通过在寻址电极上施加负电压来克服这一限制，无需依赖氧化反应，从而显著增加了氮化硅膜上的传导效率。这种改进使得在更低的电压下即可实现氮化硅膜的击穿，进而实现了纳米孔的精确定位制备。
主权项：1.一种基于寻址电极独立制备多个纳米孔的方法，其特征在于：包括下列步骤：S1、在硅晶片表面上化学气相沉积二氧化硅层；S2、在二氧化硅层上通过低温化学气相沉积低应力的氮化硅膜；S3、在氮化硅膜上沉积寻址电极；S4、在硅晶片背面蚀刻氮化硅窗口；S5、将沉积有寻址电极的氮化硅芯片通过引线键合的方式连接到PCB电路板上；S6、将氮化硅芯片与PCB电路板安装在溶液池中间；S7、通过源表来施加击穿电压在PCB电路板的接线柱和与氮化硅膜背面接触的电解质溶液，PCB电路板上的8个独立拨动开关用于控制施加电压所作用的寻址电极；S8、设置阈值电流，当观测到纳米孔的漏电流达到阈值电流之后，将源表的施加电压降为0V；S9、计算所制备纳米孔的孔径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中北大学 一种基于寻址电极独立制备多个纳米孔的方法
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