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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种推挽结构输出电路，包括：输入端、输出端、第一电源VDDH、第二电源、多级推挽结构电路，所述多级推挽结构电路中包括N个PMOS管和N个NMOS管，N大于等于2，所述推挽结构输出电路还包括辅助电路，所述辅助电路与多级推挽结构电路和第二电源连接，使所述PMOS和NMOS的工作电压都不大于Vmax，Vmax为第二电源电压及第一电源与第二电源电压差中的较高值。
主权项：1.一种推挽结构输出电路，包括：输入端（PG、NG）、输出端（OUTPUT）、第一电源（VDDH）、第二电源（VDDL）、多级推挽结构电路（10），所述多级推挽结构电路（10）中包括N个PMOS管和N个NMOS管，N大于等于2，其特征在于：所述推挽结构输出电路还包括辅助电路（20），所述辅助电路（20）与多级推挽结构电路（10）和第二电源（VDDL）连接，使所述PMOS和NMOS的工作电压都不大于Vmax，Vmax为第二电源（VDDL）电压及第一电源与第二电源电压差（VDDH−VDDL）中的较高值；辅助电路20包括：两个PMOS管MP4和MP5，两个NMOS管MN4和MN5，一个静电释放ESD防护器件；MP4和MP5的漏极与MN3的栅极连接，MP4的栅极、MP5的源极与静电释放ESD防护器件的负极连接，MP4的源极、MP5的栅极与第二电源VDDL连接，构成交叉耦合电路结构，可将输出端OUTPUT和第二电源VDDL中较高的电压传输至MN3的栅极；MN4和MN5的源极与MP3的栅极连接，MN4的栅极、MN5的漏极与静电释放ESD防护器件负极连接，MN4的漏极、MN5的栅极与第二电源VDDL连接，构成交叉耦合电路结构，可将输出端OUTPUT和第二电源VDDL中较低的电压传输至MP3的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 推挽结构输出电路
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