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申请/专利权人：芯佰微电子(北京)有限公司

摘要：本申请提供的一种振荡器，涉及集成电路领域。该振荡器包括：温度系数调整电路，温度系数调整电路包括低温系数调整电路、高温系数调整电路和求和电路；第一比较器，第一比较器包括供电端和接地端，温度系数调整电路设置于第一比较器的供电端和接地端之间，以调节第一比较器的电流温度；第二比较器，第二比较器包括供电端和接地端，温度系数调整电路设置于第二比较器的供电端和接地端之间，以调节第二比较器的电流温度；锁存器，第一比较器的输出端与锁存器的第一输入端连接，第二比较器的输出端与锁存器的第二输入端连接。实施本申请提供的技术方案，可以减弱振荡器输出频率随温度变化，提高振荡器输出频率的稳定性。

主权项：1.一种振荡器，其特征在于，包括：温度系数调整电路（10），所述温度系数调整电路（10）包括低温系数调整电路（11）、高温系数调整电路（12）和求和电路（13）；第一比较器（20），所述第一比较器（20）包括供电端和接地端，所述温度系数调整电路（10）设置于所述第一比较器（20）的供电端和接地端之间，以调节所述第一比较器（20）的电流温度；第二比较器（30），所述第二比较器（30）包括供电端和接地端，所述温度系数调整电路（10）设置于所述第二比较器（30）的供电端和接地端之间，以调节所述第二比较器（30）的电流温度；锁存器（40），所述第一比较器（20）的输出端与所述锁存器（40）的第一输入端连接，所述第二比较器（30）的输出端与所述锁存器（40）的第二输入端连接；其中，所述低温系数调整电路（11）包括第一晶体管（T1）、第二晶体管（T2）、第三晶体管（T3）、第四晶体管（T4）和第一电阻（R1），所述第一晶体管（T1）和所述第二晶体管（T2）为双极性晶体管，所述第三晶体管（T3）和所述第四晶体管（T4）为场效应晶体管；所述第一晶体管（T1）的第一极、所述第一晶体管（T1）的基极和所述第二晶体管（T2）的基极，均与所述第三晶体管（T3）的第二极连接，所述第一晶体管（T1）的第二极与公共地（Gnd）连接，所述第二晶体管（T2）的第一极与所述第四晶体管（T4）的第二极连接，所述第二晶体管（T2）的第二极通过所述第一电阻（R1）与公共地（Gnd）连接；所述第三晶体管（T3）的第一极和所述第四晶体管（T4）的第一极均与电源端（Vss）连接，所述第三晶体管（T3）的栅极和所述第四晶体管（T4）的栅极，均与所述第四晶体管（T4）的第二极连接；所述求和电路包括第五晶体管（T5）、第六晶体管（T6）和第七晶体管（T7），所述第五晶体管（T5）、所述第六晶体管（T6）和所述第七晶体管（T7）均为场效应晶体管；所述第五晶体管（T5）的第一极均与电源端（Vss）连接，所述第五晶体管（T5）的栅极，与所述第四晶体管（T4）的第二极连接；所述第六晶体管（T6）的第一极、所述第六晶体管（T6）的栅极以及所述第七晶体管（T7）的第二极，均与所述第五晶体管（T5）的第二极连接，所述第六晶体管（T6）的第二极与公共地（Gnd）连接；所述第七晶体管（T7）的第一极连接至电源端（Vss），所述第七晶体管（T7）的栅极与第十晶体管（T10）的第一极连接；所述高温系数调整电路（12）包括第八晶体管（T8）、第九晶体管（T9）、所述第十晶体管（T10）、第十一晶体管（T11）和第二电阻（R2），所述第八晶体管（T8）、所述第九晶体管（T9）和所述第十晶体管（T10）为场效应晶体管，所述第十一晶体管（T11）为双极性晶体管；所述第八晶体管（T8）的第一极和所述第九晶体管（T9）的第一极均连接至电源端（Vss），所述第八晶体管（T8）的栅极和所述第八晶体管（T8）的第二极，均与所述第十晶体管（T10）的第一极连接；所述第九晶体管（T9）的栅极与所述第五晶体管（T5）的栅极连接，所述第九晶体管（T9）的第二极、所述第十晶体管（T10）的栅极均与所述第十一晶体管（T11）的第一极连接；所述第十晶体管（T10）的第二极通过所述第二电阻（R2）连接至公共地（Gnd）；所述第十一晶体管（T11）的基极与所述第十晶体管（T10）的第二极连接，所述第十一晶体管（T11）的第二极连接至公共地（Gnd）；所述振荡器还包括第十二晶体管（T12）；所述第十二晶体管（T12）的栅极与所述第六晶体管（T6）的栅极连接，所述第十二晶体管（T12）的第一极与所述第一比较器（20）连接，所述第十二晶体管（T12）的第二极连接至公共地（Gnd）；所述振荡器还包括第十三晶体管（T13）；所述第十三晶体管（T13）的栅极与所述第六晶体管（T6）的栅极连接，所述第十三晶体管（T13）的第一极与所述第二比较器（30）连接，所述第十三晶体管（T13）的第二极连接至公共地（Gnd）；其中，所述第一比较器（20）包括第十四晶体管（T14）、第十五晶体管（T15）、第十六晶体管（T16）、第十七晶体管（T17）、第十八晶体管（T18）、第十九晶体管（T19）、第二十晶体管（T20）以及第二十一晶体管（T21）；所述第十四晶体管（T14）的第一极、所述第十五晶体管（T15）的第一极以及所述第十六晶体管（T16）的第一极均连接至电源端（Vss）；所述第十四晶体管（T14）的第二极、所述第十四晶体管（T14）的栅极、所述第十五晶体管（T15）的栅极以及所述第十六晶体管（T16）的栅极，均与所述第十二晶体管（T12）的第一极连接；所述第十五晶体管（T15）的第二极和所述第十七晶体管（T17）的第一极，均与所述第十八晶体管（T18）的第一极连接；所述第十六晶体管（T16）的第二极连接至所述第一比较器（20）的输出端；所述第十七晶体管（T17）的栅极为所述第一比较器（20）的第一输入端，所述第十八晶体管（T18）的栅极为所述第一比较器（20）的第二输入端；所述第十九晶体管（T19）的第一极、所述第十九晶体管（T19）栅极、所述第二十晶体管（T20）的栅极均与所述第十七晶体管（T17）的第二极连接，所述第十九晶体管（T19）的第二极连接至公共地（Gnd）；所述第二十晶体管（T20）的第一极以及所述第二十一晶体管（T21）的栅极，均连接至所述第十八晶体管（T18）的第二极，所述第二十晶体管（T20）的第二极连接至公共地（Gnd）；所述第二十一晶体管（T21）的第一极连接至所述第一比较器（20）的输出端，所述第二十一晶体管（T21）的第二极连接至公共地（Gnd）。

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