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申请/专利权人：重庆大学

摘要：本发明公开了一种宽带圆极化紧凑天线阵列的寄生谐振去耦结构，包括有寄生谐振去耦结构单元，所述寄生谐振去耦结构单元间隙的设置在天线单元上方；所述天线单元包括有相同的第一圆极化天线和第二圆极化天线，所述第一圆极化天线和第二圆极化天线阵列的设置在金属地板上，所述第一圆极化天线和第二圆极化天线上方间隙的设置有寄生谐振单元。通过将该宽带圆极化去耦结构集成于紧凑放置的宽带圆极化阵列，可以在保证天线单元原有极化特性的情况下有效降低天线端口间耦合，且可以进一步提升天线单元的可实现增益。

主权项：1.一种宽带圆极化紧凑天线阵列的寄生谐振去耦结构，其特征在于，所述结构包括有寄生谐振去耦结构单元，所述寄生谐振去耦结构单元间隙的设置在天线单元上方；所述天线单元包括有相同的第一圆极化偶极子天线和第二圆极化偶极子天线，所述第一圆极化偶极子天线和第二圆极化偶极子天线阵列的设置在金属地板6上，所述第一圆极化偶极子天线和第二圆极化偶极子天线上方间隙的设置有寄生谐振去耦结构单元；所述寄生谐振去耦结构单元包括有去耦介质基板3，所述去耦介质基板3间隙设置在第一圆极化天线和第二圆极化天线上方；所述去耦介质基板3上端面蚀刻有“卍”字型金属去耦结构模块，所述金属去耦结构模块位于第一圆极化天线与第二圆极化天线之间的中心位置的上方，所述“卍”字型金属去耦结构模块的“卍”字型旋向与第一圆极化天线或第二圆极化天线的旋向一致；所述去耦介质基板3与第一圆极化天线之间的间隙为d1；所述d1＝3mm；所述去耦介质基板3的材料为FR4_epoxy，所述去耦介质基板3的相对介电常数为4.4，所述去耦介质基板3的损耗角正切为0.02，所述去耦介质基板3的厚度为1mm；所述“卍”字型金属去耦结构模块包括有相同的第一边7和第二边8，所述第一边7与第二边8相互垂直，所述第一边7与第一圆极化天线和第二圆极化天线的阵列方向呈45度设置，所述第一边7和第二边8的交点位置与第一边7的中心点位置相重合，所述第一边7和第二边8的交点位置还与第二边8的中心点位置相重合；所述第一边7的两端点位置分别垂直的设置有第三边9，所述第二边8的两端点分别垂直的设置有第四边10，所述第三边9与第四边10相同，两个所述第三边9和两个第四边10相对于第一边7的中心点位置圆形阵列；所述第一边7和第二边8的长度均为L2，所述第三边9和第四边10的长度均为L1，所述第三边9的宽度与第一边7的宽度相等且均为W1；55mm≤L1≤57mm，30mm≤L2≤32mm，6.5mm≤W1≤7.5mm。

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权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种宽带圆极化紧凑天线阵列的寄生谐振去耦结构