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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及光学元件缺陷检测领域，尤其涉及一种两相结构RB‑SiC材料亚表面缺陷的高精度检测方法，包括：对磁流变去除函数进行标定；确定磁流变抛光设备的材料去除量分布，并计算驻留时间分布，对待测元件进行斜面抛光，确保斜面最深处为无损伤的基体部分；对斜面的头部和尾部进行标记确定母线，使用轮廓检测设备沿着母线进行轮廓检测；使用激光共聚焦显微镜沿母线进行观测并对缺陷截止视场进行三维轮廓扫描，得到缺陷截止视场的三维图像；根据该三维图像，垂直于轮廓检测母线方向，计算轮廓检测得到的矢高与最深损伤的矢高差，得到亚表面缺陷深度。本发明能够提高两相结构的RB‑SiC材料的亚表面缺陷检测精度。
主权项：1.一种两相结构RB-SiC材料亚表面缺陷的高精度检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.去除函数标定：使用磁流变抛光设备对待测元件进行单点驻留抛光，并对抛光的去除函数进行检测，标定磁流变抛光设备的去除函数；S2.斜面抛光：确定磁流变抛光设备的材料去除量分布，并结合磁流变抛光设备的去除函数计算磁流变抛光设备的驻留时间分布，磁流变抛光设备以该驻留时间分布对待测元件进行斜面抛光，确保斜面最深处为无损伤的基体部分；S3.轮廓检测：在待测元件上未被抛光的位置对斜面的头部和尾部进行标记，使用轮廓检测设备沿着两个标记之间的轮廓检测母线进行轮廓检测，得到斜面轮廓；S4.损伤检测：使用激光共聚焦显微镜沿着轮廓检测母线进行观测，记录亚表面缺陷截止位置视场与两个标记之间的距离，并对亚表面缺陷截止位置视场进行三维轮廓扫描，得到亚表面缺陷截止位置视场的三维图像；S5.数据融合：根据亚表面缺陷截止位置视场的三维图像，垂直于轮廓检测母线方向，计算斜面轮廓的矢高与亚表面缺陷截止位置的矢高差，得到亚表面缺陷深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 两相结构RB-SiC材料亚表面缺陷的高精度检测方法
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