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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种界面电场可调的阻挡杂质带甚长波红外探测器外延方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，衬底温度设置为570～590℃，Ga源温度为650～670℃；同时打开硅电子束的挡板和镓源的挡板，进行吸收层的外延；生长吸收层后，同时关闭Ga挡板、关闭衬底挡板、改变衬底温度在560～660℃范围内，进行阻挡层的外延，实现不同的界面宽度。在外延高掺阻挡层时，基于不同衬底温度，可以实现界面浓度渐变梯度，从而实现界面宽度可调。分子束外延的温度整体偏低，因此可以降低长时间外延导致大的扩散宽度影响。
主权项：1.一种界面电场可调的阻挡杂质带甚长波红外探测器外延方法，其特征在于，包括以下步骤：1将衬底放入MBE腔体内，衬底温度设置为570～590℃，Ga源温度为650～670℃；同时打开硅电子束的挡板和镓源的挡板，进行吸收层的外延；2生长吸收层后，同时关闭Ga挡板、关闭衬底挡板、改变衬底温度在560～660℃范围内，进行阻挡层的外延，实现不同的界面宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种界面电场可调的阻挡杂质带甚长波红外探测器外延方法
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