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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要：本发明公开了一种半导体外延生长设备的温度控制系统，包括控制单元、加热单元、晶圆片温度检测单元、石英管壁温度检测单元和气体单元；晶圆片温度检测单元与控制单元相连，用于检测晶圆片温度并发送至控制单元；控制单元与加热单元相连，用于根据晶圆片温度控制加热单元的加热作业以使得晶圆片温度在对应预设阈值内；石英管壁温度检测单元与控制单元相连，用于检测石英管壁温度并发送至控制单元；控制单元与气体单元相连，用于根据石英管壁温度来调节气体单元的气体流量或和气体中各成分的配比以使得石英管壁温度在对应预设阈值内。本发明能够实现反应室温度的双闭环控制，温度控制精准，避免外延生长设备片间温度差异大。
主权项：1.一种半导体外延生长设备的温度控制系统，其特征在于，包括控制单元、加热单元、晶圆片温度检测单元、石英管壁温度检测单元和气体单元；所述晶圆片温度检测单元与所述控制单元相连，用于检测所述晶圆片7温度并发送至控制单元；所述控制单元与所述加热单元相连，用于根据晶圆片7温度控制加热单元的加热作业以使得晶圆片7温度在对应预设阈值内；所述石英管壁温度检测单元与所述控制单元相连，用于检测石英管壁温度并发送至控制单元；所述控制单元与所述气体单元相连，用于根据石英管壁温度来调节气体单元的气体流量或和气体中各成分的配比以使得石英管壁温度在对应预设阈值内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种半导体外延生长设备的温度控制系统
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