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申请/专利权人：日产化学株式会社

摘要：本发明涉及一种层叠体的剥离方法，其中，包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体11与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体12隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层13和设于所述第二基体12侧的第二粘接层14进行接合而制成层叠体10时，将所述第一粘接层13设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂A固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层14设为使用作为主链和侧链的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂B而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离。

主权项：1.一种层叠体的剥离方法，其中，包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层和设于所述第二基体侧的第二粘接层进行接合而制成层叠体时，将所述第一粘接层设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂A固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层设为使用作为主链和侧链的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂B而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离，所述粘接剂A包含聚硅氧烷A1和铂族金属系催化剂A2，所述聚硅氧烷A1包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q单元、R1R2R3SiO12所示的硅氧烷单元即M单元、R4R5SiO22所示的硅氧烷单元即D单元以及R6SiO32所示的硅氧烷单元即T单元构成的组中的一种或两种以上的单元，其中，所述R1至R6为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基、烯基或氢原子，所述聚硅氧烷A1包含聚有机硅氧烷a1和聚有机硅氧烷a2，所述聚有机硅氧烷a1包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q’单元、R1’R2’R3’SiO12所示的硅氧烷单元即M’单元、R4’R5’SiO22所示的硅氧烷单元即D’单元以及R6’SiO32所示的硅氧烷单元即T’单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种，其中，所述R1’至R6’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示烷基或烯基，但所述R1’至R6’中的至少一个为所述烯基，所述聚有机硅氧烷a2包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q”单元、R1”R2”R3”SiO12所示的硅氧烷单元即M”单元、R4”R5”SiO22所示的硅氧烷单元即D”单元以及R6”SiO32所示的硅氧烷单元即T”单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种，其中，所述R1”至R6”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基或氢原子，但所述R1”至R6”中的至少一个为氢原子。

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