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申请/专利权人：中材人工晶体研究院(山东)有限公司
摘要：本申请提供了一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，其包括以下步骤：将放置有碳化硅原料和籽晶的坩埚置于生长炉内；对生长炉抽真空并加热，通入含有甲烷的保护气体；生长碳化硅晶体。本申请通过引入含有甲烷的保护气体，调整碳化硅晶体生长过程中硅组分和碳组分的比例，避免碳化硅晶体在富硅气氛下出现碳包裹体、微管、位错等缺陷，进而生长出高质量的碳化硅晶体。
主权项：1.一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，其包括以下步骤：将放置有碳化硅原料和籽晶的坩埚置于生长炉内；其中，所述碳化硅原料放置在坩埚底部，所述籽晶固定于坩埚盖顶部的籽晶托上；对生长炉抽真空并加热，通入保护气体；生长碳化硅晶体；其中，所述保护气体为含有甲烷的气体，甲烷的流量为1-200mlh。
全文数据：
权利要求：
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