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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长形成漂移层；通过向漂移层离子注入，形成阱区；离子注入，形成N型源区和P型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成栅介质层；淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积二氧化硅，形成第一绝缘区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成保护层；重新形成阻挡层，刻蚀，金属淀积，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积二氧化硅，形成第二绝缘区，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第一互连金属以及第二互连金属，去除阻挡层，完成制备；提高栅极可靠性。
主权项：1.一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长形成漂移层；步骤2、通过向漂移层离子注入，形成阱区；步骤3、形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤4、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并蚀刻阱区至漂移层上侧面，氧化形成栅介质层；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀P型源区以及N型源区，淀积二氧化硅，形成第一绝缘区；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对P型源区进行离子注入，形成保护层；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀P型源区以及N型源区，进行金属淀积，形成源极金属层；步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积二氧化硅，形成第二绝缘区，绝缘层包括第一绝缘区以及第二绝缘区；步骤11、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成第一互连金属以及第二互连金属，去除阻挡层，完成制备。
全文数据：
权利要求：
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