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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请实施例公开了一种激光器芯片、光发射组件和光模块，该激光器芯片包括：层叠设置的N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层，以及设置在该N型掺杂半导体层和该P型掺杂半导体层之间的多量子阱，通过对量子阱结构中的垒层厚度进行非均匀的设计，使得靠近N型半导体侧的垒层厚度大于靠近P型半导体侧的垒层厚度，或者，使得靠近N型半导体侧的垒层势垒高度大于靠近P型半导体侧的垒层势垒高度，可以减缓靠近N侧的高速电子注入，同时可以改善P侧的低速空穴的输运效率，由此提高了量子阱中载流子浓度和微分增益分布的均匀性，最终提高了器件的整体响应带宽。
主权项：1.一种激光器芯片，其特征在于，包括：层叠设置的N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层，以及设置在所述N型掺杂半导体层和所述P型掺杂半导体层之间的多量子阱，所述多量子阱包括：层叠设置的第一垒层、第一阱层、第二垒层、第二阱层和第三垒层，其中，所述第一垒层靠近所述N型掺杂半导体层设置，所述第一垒层的厚度大于所述第三垒层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 激光器芯片、光发射组件和光模块
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