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申请/专利权人：德州仪器公司
摘要：一种形成集成电路的方法1100包含首先从衬底上方的半导体层形成1108电阻器主体和晶体管栅极。第二，形成1112邻近于所述电阻器主体和所述晶体管栅极的侧壁间隔物。第三，在所述电阻器主体的至少一部分上方形成1116硅化物阻挡结构。以及第四，同时对所述电阻器主体和所述晶体管栅极进行毫秒退火1118。
主权项：1.一种形成集成电路的方法，其包括：第一，从半导体层形成电阻器主体和晶体管栅极；第二，形成邻近于所述电阻器主体和所述晶体管栅极的侧壁间隔物；第三，在所述电阻器主体的至少一部分上方形成硅化物阻挡结构；以及第四，同时对所述电阻器主体和所述晶体管栅极进行毫秒退火。
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百度查询： 德州仪器公司 高级多晶硅电阻器和CMOS晶体管
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