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申请/专利权人：苏州矩阵光电有限公司

摘要：本发明涉及激光器技术领域，公开了一种激光器结构及多波长激光器阵列，激光器结构包括：半导体衬底层以及设置于半导体衬底层上的激光器本体、第一电极结构和第二电极结构，激光器本体包括有源层，有源层包括层叠设置的多种发光波长不同的介质结构；第一电极结构与激光器本体间隔设置；第二电极结构设置在激光器本体背离半导体衬底层的一侧表面上；第一电极结构和第二电极结构通过激励单元相连，第二电极结构被配置为在激励单元的作用下调节激光器本体的光学谐振腔的长度。在不改变有源层材料和结构的前提下，不同的激光器本体被调控发出不同波长激光，简化了不同发光波长的激光器结构的制备，保证激光器结构的发光性能。

主权项：1.一种激光器结构，其特征在于，包括半导体衬底层（100）以及设置于所述半导体衬底层（100）上的激光器本体（10）、第一电极结构（20）及第二电极结构（30）；所述激光器本体（10）包括有源层（12）；有源层（12）包括层叠设置的多种发光波长不同的介质结构，所述介质结构为量子点结构（121）；所述介质结构的发光波长与所述介质结构的层数呈负相关关系，所述有源层（12）包括层叠设置的第一量子点结构（121a）、第二量子点结构（121b）和第三量子点结构（121c）；所述第一量子点结构（121a）的发光波长为1.3um，所述第二量子点结构（121b）的发光波长为1.28um，所述第三量子点结构（121c）的发光波长为1.26um；所述第一量子点结构（121a）设置为两层，所述第二量子点结构（121b）设置为三层，所述第三量子点结构（121c）设置为五层；所述第一电极结构（20）与所述激光器本体（10）间隔设置在所述半导体衬底层（100）的同侧；所述第二电极结构（30）设置在所述激光器本体（10）背离所述半导体衬底层（100）的一侧表面上；所述第一电极结构（20）和所述第二电极结构（30）通过激励单元（40）相连，以在所述第二电极结构（30）下的所述激光器本体（10）内形成光学谐振腔，所述第二电极结构（30）被配置为在所述激励单元（40）的作用下调节所述激光器本体（10）的所述光学谐振腔的长度；所述第二电极结构（30）包括间隔设置在所述激光器本体（10）上表面的第二子电极（32）和第三子电极（33），所述第二子电极（32）的长度大于所述第三子电极（33）的长度；所述激励单元（40）包括第二激励结构（42）和第三激励结构（43），所述第二激励结构（42）和所述第三激励结构（43）的激励方向相反，所述第二激励结构（42）分别连接第二子电极（32）和第一电极结构（20），所述第三激励结构（43）分别连接所述第三子电极（33）和所述第一电极结构（20）；所述第三子电极（33）适于在第三激励结构（43）的激励下，使得介质结构的能带发生倾斜，调节由所述第二激励结构（42）激励所述第二子电极（32）所形成的光学谐振腔的长度，以发出不同波长的激光。

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