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申请/专利权人：武汉钧恒科技有限公司
摘要：本实用新型涉及一种基于铌酸锂调制器的400GDR4光器件，铌酸锂芯片上具有进光波导、出光波导、进光光功率监控波导以及出光光功率监控波导，铌酸锂芯片的侧面上在对应进光光功率监控波导以及出光光功率监控波导的区域设有向下倾斜的斜面，铌酸锂芯片的外侧在对应出光光功率监控波导以及进光光功率监控波导处分别布置MPD，从出光光功率监控波导和进光光功率监控波导所出射的光线经斜面后向下倾斜的入射在对应的MPD光敏面上。有益效果为：铌酸锂芯片不用做顶部光栅工艺，而是全部采用侧面波导工艺即可，可以降低产品成本，采用普通的MPD代替昂贵的倒贴MPD，同时由于射入MPD的光线是斜入射的，光反射大幅度改善，提升良率。
主权项：1.一种基于铌酸锂调制器的400GDR4光器件，其特征在于，包括：铌酸锂芯片1，所述铌酸锂芯片1上具有进光波导110、出光波导120、进光光功率监控波导130以及出光光功率监控波导140，所述铌酸锂芯片1的侧面上在对应进光光功率监控波导130以及出光光功率监控波导140的区域设有向下倾斜的斜面150，所述铌酸锂芯片1的外侧在对应出光光功率监控波导140以及进光光功率监控波导130处分别布置MPD2，从所述出光光功率监控波导140和进光光功率监控波导130所出射的光线经斜面150后向下倾斜的入射在对应的MPD2光敏面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉钧恒科技有限公司 一种基于铌酸锂调制器的400G DR4光器件
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