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申请/专利权人：武汉云岭光电股份有限公司

摘要：本发明涉及芯片技术领域，提供了一种电吸收调制器激光器的制备方法，包括S1，经过掩膜、生长和刻蚀，在EAM区出光端形成窗口结构；S2，接着继续进行掩膜和刻蚀，制作深隔离沟槽；S3，接着再经过掩膜和刻蚀后，开电注入窗口，其中EAM窗口结构不开电注入窗口；S4，在LD区和EAM区制作电极，其中EAM窗口结构不做电极；S5，电极制作完毕后，解个成单个电吸收调制器激光器芯片。还提供一种电吸收调制器激光器，包括DFB激光器和EAM电吸收调制器，DFB激光器脊波导或隔离区两侧设有深隔离沟槽，EAM电吸收调制器出光端制作有窗口结构。本发明在DFB激光器浅脊波导或者隔离区的两侧设计深隔离沟槽来大幅减少DFB激光器载流子注入过程中在对接窗口的对接界面泄露的情况。

主权项：1.一种电吸收调制器激光器的制备方法，其特征在于，制备的电吸收调制器激光器具有LD区和EAM区，具体包括如下步骤：S1，经过掩膜、生长和刻蚀，在所述EAM区出光端形成窗口结构；S2，接着继续进行掩膜和刻蚀，制作深隔离沟槽；S3，接着再经过掩膜和刻蚀后，开电注入窗口，其中EAM窗口结构不开电注入窗口；S4，在LD区和EAM区制作电极，其中所述EAM窗口结构不做电极；S5，电极制作完毕后，解个成单个电吸收调制器激光器芯片，在S1步骤中，具体的制作过程为：S10，一次生长外延结构，然后在所述外延结构上制作光栅；S11，于所述光栅上二次外延生长光栅掩埋层；S12，接着继续生长掩膜层，并去掉EAM区的掩膜，再继续刻蚀所述EAM区，至少刻蚀到所述外延结构的缓冲层；S13，在所述EAM区依次对接生长EAM有源层和InP层；S14，再次生长掩膜层，并刻蚀去掉EAM区出光端的掩膜，并继续刻蚀，至少刻蚀到所述缓冲层；S15，在所述EAM区出光端对接生长InP层成窗口结构；S16，接着生长P型波导层和接触层，S17，待生长完毕后继续掩膜并刻蚀掉EAM窗口结构上的掩膜和接触层，制作深隔离沟槽的具体方法为：掩膜后进行刻蚀，直至刻蚀到光栅层，然后在所述LD区和所述EAM区制作浅脊波导，其中EAM区出光端不制作脊波导，接着保护好LD区，在隔离区和EAM区进行刻蚀，至少刻蚀到所述缓冲层，制作深脊波导，所述隔离区由去掉DFB激光器和EAM电吸收调制器之间接触层和部分P型波导层得到，保护隔离区、EAM区以及脊波导部分区域，露出LD区脊波导沟槽中间部分，然后继续刻蚀所述LD区脊波导中间区域，至少刻蚀至所述缓冲层，以形成深隔离沟槽，或者，掩膜后进行刻蚀，保护EAM区出光端，并在LD区和EAM区制作脊波导，同时刻蚀LD区和EAM区交界处隔离区脊波导以外区域，接着保护LD区，露出隔离区和EAM区，刻蚀所述隔离区和所述EAM区无掩膜保护的区域，至少刻蚀到所述缓冲层，以在隔离区形成深隔离沟槽，所述隔离区由去掉DFB激光器和EAM电吸收调制器之间接触层和部分P型波导层得到。

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