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申请/专利权人:宁波大学;北京铭镓半导体有限公司
摘要:本发明公开了一种全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器。方法包括:在SiO2基板上旋涂光刻胶;采用飞秒激光双光子3D打印技术在光刻胶SiO2板上制造出圆柱体阵列;采用干法刻蚀机对光刻胶阵列SiO2板进行图形转移,将光刻胶上的图形转移到SiO2基板上;去除图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶,并进行薄膜沉积;使用飞秒激光双光子3D打印技术在带有薄膜的图形化阵列SiO2板上制作电极掩膜;对第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积,形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板;对第二图形化电极阵列SiO2板进行杂质去除,生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。
主权项:1.一种全角度光电探测器的制备方法,其特征在于,包括:在SiO2基板上旋涂光刻胶,形成光刻胶SiO2板;采用飞秒激光双光子3D打印技术在所述光刻胶SiO2板上制造出圆柱体阵列,形成光刻胶阵列SiO2板;采用干法刻蚀机对所述光刻胶阵列SiO2板进行图形转移,将所述光刻胶上的图形转移到所述SiO2基板上,形成图形化光刻胶阵列SiO2板;去除所述图形化光刻胶阵列SiO2板中的光刻胶,并进行薄膜沉积,生成带有薄膜的图形化阵列SiO2板;使用飞秒激光双光子3D打印技术在带有薄膜的图形化阵列SiO2板上制作电极掩膜,形成第一图形化电极阵列SiO2板;对所述第一图形化电极阵列SiO2板进行金属银沉积,形成带有金属银薄膜的第二图形化电极阵列SiO2板;对所述第二图形化电极阵列SiO2板进行杂质去除,生成图形化器件阵列的全角度光电探测器。
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百度查询: 宁波大学 北京铭镓半导体有限公司 全角度光电探测器的制备方法、装置及全角度光电探测器
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