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申请/专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司

摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种改善薄型瓷片的DCB基板烧结气泡不良的方法，包括如下步骤：步骤一，在垫板的左右两侧的上方黏贴两条相互平行的瓷条，组成烧结治具；垫板的前后两端均开设有缺口；步骤二，将烧结治具摆放在传送带上，且烧结治具的垫板接触传送带；步骤三，将待烧结的瓷片以及铜箔先后依次摆放在烧结治具上，瓷片的厚度小于0.38mm；步骤四，进行烧结。本发明将垫板设计成前后两端开口的形状，使瓷片仅在中间与垫板接触，而在长度方向两端仅边缘处接触，通过减少接触面积来减少垫板对DCB基板烧结影响，使薄瓷片变形处于一种自然变形状态，氧化亚铜共晶液流淌均匀，从而减少烧结气泡不良。

主权项：1.一种改善薄型瓷片的DCB基板烧结气泡不良的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在垫板的左右两侧的上方黏贴两条相互平行的瓷条，组成烧结治具；所述垫板的前后两端均开设有缺口；步骤二，将所述烧结治具摆放在传送带上，且所述烧结治具的垫板接触所述传送带；步骤三，将待烧结的瓷片以及铜箔先后依次摆放在所述烧结治具上，所述瓷片的厚度小于0.38mm；步骤四，进行烧结；所述瓷条通过有机胶粘贴在所述垫板上；步骤二中，所述垫板的长度方向平行于传送带的长度方向；所述瓷条前后方向上的长度等于所述垫板前后方向上的长度；所述垫板的长度为190mm，宽度为138mm,厚度为1mm；所述瓷条的长度为190mm，宽度为3mm，厚度为1mm；位于左侧的瓷条的左侧边与所述垫板的左侧边对齐；位于右侧的瓷条的右侧边与所述垫板的右侧边对齐；所述垫板呈H形，所述垫板包括两个左右设置的条状结构以及连接条状结构的连接部；所述条状结构左右方向上的宽度大于所述瓷条左右方向上的宽度，且不小于瓷条左右方向上宽度的1.5倍，且不大于瓷条左右方向上宽度的3倍；所述连接部的前后方向上的长度不小于所述垫板前后方向上长度的111，且不大于所述垫板前后方向上长度的18；所述连接部的前后方向上的长度为20mm；所述缺口呈一开口朝外的U形；所述缺口长度为85mm，宽度为126mm，所述缺口的角部是半径为15mm的圆角；步骤四中，所述烧结治具依次途径三个升温区、四个恒温区以及三个降温区；三个升温区依次为温度设置在755℃～765℃、850℃～860℃、1030℃～1040℃之间；升温区的总长度为1000～1100mm；烧结治具通过升温区时间为9～13min；三个升温区的通过时间依次为3～4.5min，3～4.5min，3～4.5min；四个恒温区的温度设置在1070℃～1075℃之间；恒温区的总长度为1300～1500mm；烧结治具通过恒温区的时间为14～18min；三个降温区依次为温度设置在1025℃～1035℃、970℃～980℃、920℃～930℃之间；降温区的总长度为1000～1100mm；烧结治具通过降温区的时间为9～13min。

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