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申请/专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要：本发明涉及DCB生产方法技术领域，具体公开了一种制备氮化铝覆铜陶瓷载板的DCB生产方法。包括以下操作步骤：S1：将氮化铝瓷片清洗后，进行铜离子活化，得到预制DCB板；S2：将预制DCB板依次进行氧化处理、双面烧结，得到氮化铝覆铜陶瓷载板。
主权项：1.一种制备氮化铝覆铜陶瓷载板的DCB生产方法，其特征在于：包括以下操作步骤：S1：将氮化铝瓷片清洗后，进行铜离子活化，得到预制DCB板；S2：将预制DCB板依次进行氧化处理、双面烧结，得到氮化铝覆铜陶瓷载板。
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百度查询： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 一种制备氮化铝覆铜陶瓷载板的DCB生产方法
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