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申请/专利权人：江苏艾匹克半导体设备有限公司
摘要：本发明公开了一种电驱动的硅外延层装置的位置改进方法，涉及半导体制造相关领域，该方法包括：对目标硅外延炉进行目标衬底载盘的布设；任意提取目标硅外延炉的多个温区中的第一温区，并读取第一温区下的目标硅衬底的第一预定位置；获取目标硅衬底的目标初始位置，并结合第一预定位置生成第一位置对准指令；基于第一位置对准指令在目标位置改进空间中寻优得到第一位置改进策略；根据第一位置改进策略激活伺服电机，并通过伺服电机对硅衬底在第一温区中的位置进行改进调整。解决了现有硅外延层装置位置定位存在的硅衬底定位精度不足，影响硅外延层质量的技术问题，达到了提高硅衬底的定位精度，提高硅外延层质量的技术效果。
主权项：1.一种电驱动的硅外延层装置的位置改进方法，其特征在于，包括：对目标硅外延炉进行目标衬底载盘的布设，其中，所述目标衬底载盘用于承载目标硅衬底，所述目标硅衬底属于目标硅外延层装置；任意提取所述目标硅外延炉的多个温区中的第一温区，并读取所述第一温区下的所述目标硅衬底的第一预定位置；获取所述目标硅衬底的目标初始位置，并结合所述第一预定位置生成第一位置对准指令；基于所述第一位置对准指令在目标位置改进空间中寻优得到第一位置改进策略；根据所述第一位置改进策略激活伺服电机，并通过所述伺服电机对所述目标硅衬底在所述第一温区中的位置进行改进调整；其中，包括：获取预定位置控制指标，并读取所述预定位置控制指标的预定指标阈值；根据所述预定指标阈值建立所述目标位置改进空间；引入位置改进适应度评估函数作为目标改进评价指标；将通过第一温度传感器动态监测到的所述第一温区的第一实时温度作为目标位置改进约束；在所述目标位置改进约束下，基于所述目标改进评价指标在所述目标位置改进空间中进行寻优，得到所述第一位置改进策略。
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