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一种切片晶片清洗工艺 

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申请/专利权人:浙江兆晶新材料科技有限公司;北京中企祥科技有限公司

摘要:本发明涉及一种切片晶片清洗工艺,该工艺包括将晶片送入第一清洗液进行第一清洗;所述第一清洗液为纯水;将晶片送入第二清洗液进行第二清洗;所述第二清洗液为洗洁精、活性剂和水的混合溶液;将晶片送入第三清洗液进行第三清洗;所述第三清洗液为纯水;将晶片送入第四清洗液进行第四清洗;所述第四清洗液为纯水;将第四清洗后的所述晶片进行甩干处理。本发明可以有效去除晶片表面的杂质,清洗效果强;同时本发明工艺操作简单,清洗液成本低,可以降低生产成本。

主权项:1.一种切片晶片清洗工艺,其特征在于,该工艺包括:将晶片送入第一清洗液进行第一清洗;所述第一清洗液为纯水;将晶片送入第二清洗液进行第二清洗;所述第二清洗液为洗洁精、活性剂和水的混合溶液;将晶片送入第三清洗液进行第三清洗;所述第三清洗液为纯水;将晶片送入第四清洗液进行第四清洗;所述第四清洗液为纯水;将第四清洗后的所述晶片进行甩干处理。

全文数据:

权利要求:

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