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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：本发明公开了具有晶片背侧处理能力的半导体处理工具。这种工具可被配置成仅通过边缘接触来接触正在处理的晶片，而不是下侧平面接触。这种工具还可包括晶片居中特征，其可允许这种晶片相对于其特定晶片处理站精准地居中。
主权项：1.一种装置，其包括：喷淋基座，其具有分布在所述喷淋基座的整个第一表面上的多个第一气体分配端口，所述喷淋基座的所述第一表面定义第一平均中平面；以及多个晶片支撑结构，其从所述喷淋基座延伸并围绕第一参考轴设置，所述第一参考轴与所述喷淋基座的所述第一表面相交并垂直于所述第一平均中平面，其中：所述多个晶片支撑结构进一步设置在包括所述喷淋基座的所述第一表面的区域周围，每一晶片支撑结构具有与所述第一平均中平面不平行的对应晶片支撑表面，每一晶片支撑表面具有设置在与所述第一平均中平面垂直的方向上远离所述第一平均中平面至少第一距离处、且在与所述第一参考轴垂直的方向上与所述第一参考轴相距第二距离处的一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 用于具有仅边缘晶片接触的背侧晶片处理的装置
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