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申请/专利权人：深圳国微福芯技术有限公司
摘要：本发明公开了一种可降低对光刻机性能要求的版图掩膜处理方法、光刻方法。其中可降低对光刻机最小分辨率性能要求的版图掩膜处理方法，包括：步骤1，对设计版图中的几何图形的关键尺寸以及分布特征进行分析，并从中提取出适合进行DSA工艺处理的局部版图作为DSA工艺版图；步骤2，对DSA工艺版图进行DSA工艺处理，根据DSA工艺对版图的作用特征，生成DSA工艺版图的先导版图；步骤3，将所述DSA工艺版图替换为对应的先导版图；步骤4，将先导版图单独或者与原设计版图中的剩余部分进行合并，生成新的两个或一个掩膜，并对掩膜进行优化。本发明可以突破现有的光刻机的极限，能够在在晶圆硅片上制造出符合工艺要求的该类几何图形。
主权项：1.一种可降低对光刻机最小分辨率性能要求的版图掩膜处理方法，其特征在于，包括：步骤1，对设计版图中的几何图形的关键尺寸以及分布特征进行分析，并从中提取出适合进行DSA工艺处理的局部版图作为DSA工艺版图；步骤2，对DSA工艺版图进行DSA工艺处理，根据DSA工艺对版图的作用特征，生成DSA工艺版图的先导版图；步骤3，将所述DSA工艺版图替换为对应的先导版图；步骤4，将先导版图单独或者与原设计版图中的剩余部分进行合并，生成新的两个或一个掩膜，并对掩膜进行优化。
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