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申请/专利权人：南方科技大学;江苏卓胜微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种线性度提高的氮化镓器件，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下包括电极延伸部分、V型结构和基底结构。本发明提供了一种线性度提高的氮化镓器件，利用双晶向的迁移率与二维电子气浓度不同的性质，可以实现器件的跨导平坦度调制，从而实现更高的线性度；具体地，本发明在m晶面GaN外延片上直接外延常规的AlxGa1‑xNGaN异质结再进行双晶向沟道的氮化镓器件的制备即可实现高线性度，不需要特殊的外延结构，从而降低了外延设计的成本。
主权项：1.一种线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下依次包括如下结构：电极延伸部分、V型结构和基底结构；其中基底结构：所述基底结构自上而下包括缓冲层和衬底；所述缓冲层自上而下包括第二缓冲层和第一缓冲层；V型结构：所述V型结构设置在所述第一缓冲层之上，所述V型结构为横截面形状为V型的多层结构，所述V型结构自上而下依次为电极层、势垒层和第二缓冲层；所述第二缓冲层为所述第一缓冲层在V型结构上的延伸部分；所述V型结构的电极层的全部表面和所述第二缓冲层的外侧，均被Si3N4形成的钝化层所覆盖；所述电极层由源极、漏极和栅极组成，其中栅极沉积于V型结构的中心位置，源极和漏极分别沉积于V型结构的两端，并且源极和漏极与栅极之间均留有空隙；电极延伸部分：所述源极、漏极和栅极均部分向器件上方延伸，分别形成源极、漏极和栅极的电极延伸部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南方科技大学 江苏卓胜微电子股份有限公司 一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法
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