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申请/专利权人：国立大学法人东海国立大学机构;AGC株式会社
摘要：本发明涉及一种带有β型氧化镓膜的基板，具有Si单晶基板和设置于上述Si单晶基板上的β型氧化镓膜，上述β型氧化镓膜呈单轴取向。
主权项：1.一种带有β型氧化镓膜的基板，具有Si单晶基板和设置于所述Si单晶基板上的β型氧化镓膜，所述β型氧化镓膜呈单轴取向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国立大学法人东海国立大学机构 AGC株式会社 带有β型氧化镓膜的基板和其制造方法
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